Desenvolvimento de um sistema robusto para preparação de substrato e crescimento de filmes finos de MoS2, pela técnica de CVD

Flavio Assahi, João Ider, Adhimar Oliveira, Carla Rubinger, Rero Rubinger

Resumo


O primeiro material bidimensional descoberto foi o grafeno em 2004. A bidimensionalidade lhe garante propriedades especiais, pois há um aumento significativo da tenacidade e das propriedades mecânicas. A partir de então, estudos foram desenvolvidos com outros materiais e, um dos primeiros semicondutores a ser isolado foi o dissulfeto de molibdênio, o MoS2. Ao contrário do grafeno, o MoS2 tem gap de energia, porém na forma de monocamada o gap passa de indireto para direto. Essa mudança resulta em uma fotoluminescência de alto brilho. Devido ao alto desempenho elétrico e óptico, o MoS2 (2D) tem grande potencial de aplicação nos dispositivos eletrônicos e campos fotoeletrônicos. Existem diversas técnicas para produzir este material, e uma delas é através do método de Deposição Química de Vapor (CVD) que consiste na formação de um filme fino sólido pela deposição atômica ou molecular, em uma superfície aquecida, sendo o sólido oriundo de uma reação química onde os precursores estão na fase de vapor. Os substratos foram submetidos a um tratamento de ultravioleta para permitir que os materiais depositados resistam ao desgaste por contato. Então construiu-se uma câmara para tratamento por radiação UV/ozônio, e, após a preparação, os substratos foram colocados em um forno com temperatura controlada e com atmosfera inerte. Este forno tubular também foi construído com o intuito da produção do MoS2. Após os ensaios foi possível obter a formação de MoS2 com a caracterização pelo MEV, EDS e DRX para análise e identificação dos materiais formados no substrato.


Texto completo:

10.29327/2405740.11.1-6

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